об авторе
главная
обновления
на сайте
математика
физика
Химия и
биология
технические
науки
гуманитарные
науки
компьютерная
литература
школьникам
научно-
популярные
художественная
программы
контакты
гостевая книга
сcылки
Все книги и пособия вы можете скачать абсолютно бесплатно и без регистрации.
NEW. Киреев П.С. Физика полупроводников. 2-е изд. 1975 год. 586 стр. PDF. 34.3 Мб.
В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
Первое издание «Физики полупроводников», выпущенное в 1969 г., быстро разошлось. Широкое использование книги в учебном процессе и специалистами в практической работе показало целесообразность второго издания пособия. Поскольку за годы, прошедшие после выхода в свет первого издания, кардинальных изме-нений наших представлений о физических явлениях в полупроводниках не произошло, материал не подвергался существенной переработке. Основные изменения связаны с добавлениями, в которых либо раскрываются большие возможности математических соотношений для анализа физических явлений, либо освещается физическое содержание полученных выводов. Заметно увеличено число примеров экспериментальных зависимостей. Добавлены два новых параграфа, в которых рассматриваются эффект Фарадея и спин-орбитальное расщепление уровней и зон энергии.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. 1980 год. 210 стр. djvu. 3.0 Мб.
В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем.
Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов, интересующихся физикой полупроводников и вопросами их практического применения.
В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем.
Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов, интересующихся физикой полупроводников и вопросами их практического применения.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Ансельм. Введение в теорию полупроводников. 615 стр. djvu. Размер 7.6 Мб.
Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статистической физикой в объеме программ физического факультета университета или физико-математического факультета политехнического института.
При этом не обязательно детальное знакомство с этими курсами, но предполагается, что читатель способен разобраться в соответствующих параграфах учебных книг, если на них делается ссылка. Особенностью книги является то, что в ней на основе этих простейших ведений все формулы выводятся и, как я надеюсь, достаточно подробно для того, чтобы сделать ее доступной указанному выше кругу лиц.
Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока). Для чтения книги требуется знакомство с математикой, квантовой механикой и статистической физикой в объеме программ физического факультета университета или физико-математического факультета политехнического института.
При этом не обязательно детальное знакомство с этими курсами, но предполагается, что читатель способен разобраться в соответствующих параграфах учебных книг, если на них делается ссылка. Особенностью книги является то, что в ней на основе этих простейших ведений все формулы выводятся и, как я надеюсь, достаточно подробно для того, чтобы сделать ее доступной указанному выше кругу лиц.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Б.М. Аскеров, Электронные явления переноса в полупроводниках. 1985 год. 320 стр. PDF. 6.1 Мб.
Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.
Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Бонч-Бруевич, Калашников. Физика полупроводников. 679 стр. djvu. Размер 9.4 Мб.
Книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах. Очень подробное рассмотрение всех вопросов. В книге 19 глав. Рассмотрены не только полупроводник, но и общие вопросы твердого тела (колебания решетка, явления переноса, рассеяние носителей заряда решеткой, статистика электронов и дырок).
Книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на физических факультетах университетов и в физико-технических институтах. Очень подробное рассмотрение всех вопросов. В книге 19 глав. Рассмотрены не только полупроводник, но и общие вопросы твердого тела (колебания решетка, явления переноса, рассеяние носителей заряда решеткой, статистика электронов и дырок).
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Воробьев и др. Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах. 2000 год, 190 стр. Размер 1.7 Мб. djvu.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Гаман В. И. Физика полупроводниковых приборов. 2000 год. 426 стр. djvu. 6.1 Мб.
В книге изложены физические принципы работы и функциональные возможности полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, диодов с гомо- и гетеро-переходами, диодов Ганна, биполярных, полевых и аналоговых транзисторов, МДП-структур, приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа. Для студентов радиофизических и физических специальностей ВУЗов, занимающихся вопросами твердотельной электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, занимающимся разработкой твердотельных приборов и интегральных схем.
В книге изложены физические принципы работы и функциональные возможности полупроводниковых диодов с барьером Шоттки, диодов с гомо- и гетеро-переходами, диодов Ганна, биполярных, полевых и аналоговых транзисторов, МДП-структур, приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа. Для студентов радиофизических и физических специальностей ВУЗов, занимающихся вопросами твердотельной электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, занимающимся разработкой твердотельных приборов и интегральных схем.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
К. Зеегер. Физика полупроводников. 1977 год. 629 стр. djvu. 7.1 Мб.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти достаточно обширный материал, касающийся новейших направлений исследований в этой области. Обилие охваченного в книге материала делает ее энциклопедическим справочником, полезным при работе над текущей научной литературой.
Книга может служить учебным пособием для студентов физических и инженерных специальностей. Она представляет интерес для научных работников, работающих в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также инженеров, преподавателей, аспирантов.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим изложением основных принципов физики полупроводников в ней можно найти достаточно обширный материал, касающийся новейших направлений исследований в этой области. Обилие охваченного в книге материала делает ее энциклопедическим справочником, полезным при работе над текущей научной литературой.
Книга может служить учебным пособием для студентов физических и инженерных специальностей. Она представляет интерес для научных работников, работающих в различных областях физики полупроводников и полупроводниковой электроники, а также инженеров, преподавателей, аспирантов.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В одном файле оба тома. 840 стр. 11.4 Мб. djvu.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Кардона. Основы физики полупроводников. 2002год. 560 стр. djvu. Размер 9.7 Мб.
Третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупро¬водников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рас¬сматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.
Третье издание «Основ физики полупроводников» должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупро¬водников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рас¬сматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов.Книга предназначена как для студентов, так и для научных работников. Основное внимание уделяется объяснению физических свойств Si и подобных ему тетраэдрических полупроводников, причем объяснение дано с точки зрения физической картины явления. Каждая глава содержит таблицы с параметрами материалов, рисунки и задачи. Многие из этих задач «за руку» приведут студентов к научным результатам.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках. 460 стр. djvu. Размер 5.0 Мб.
Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. В книге приведено подробное описание выполненных опытов с блок-схемами установок, фото с осциллографа, рассказано о технологии приготовления образцов.
Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. В книге приведено подробное описание выполненных опытов с блок-схемами установок, фото с осциллографа, рассказано о технологии приготовления образцов.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Р. Смит. Полупроводники. 2-е изд. доп. 1982 год. 560 стр. djvu. 5.0 Мб.
Учебное пособие известного физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Хорошая книга, рекомендую.
Учебное пособие известного физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в полупроводниках. Хорошая книга, рекомендую.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Симон, Андре. Молекулярные полупроводники. Фотоэлектрические свойства и солнечные элементы. 1988 год. 342 стр. djvu. 3.7 Мб.
Книга, написанная французскими учеными, посвящена органическим проводящим материалам — веществам, свойства котирых ]не только необычны с научнаучной точки зрении, но и очень перспективны с точкл прения технологической; в частности, они весьма эффективны для применения в качестве преобразователей солнечной анергии и для создания новых приборов электронной техники. Для химиков и физикой —научных работников, специалистов по синтезу новых opганических веществ, разработчиков в областях применения синтетический проводящих маитериалов.
Книга, написанная французскими учеными, посвящена органическим проводящим материалам — веществам, свойства котирых ]не только необычны с научнаучной точки зрении, но и очень перспективны с точкл прения технологической; в частности, они весьма эффективны для применения в качестве преобразователей солнечной анергии и для создания новых приборов электронной техники. Для химиков и физикой —научных работников, специалистов по синтезу новых opганических веществ, разработчиков в областях применения синтетический проводящих маитериалов.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Хамакава, редактор. Аморфные полупроводники и приборы на их основе. 1986 год. 376 стр. djvu. 4.6 Мб.
Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.
Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники.
Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, их электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.
Для научных работников и специалистов металлургической, машиностроительной, авиационной, судостроительной промышленности, занимающихся вопросами материаловедения, полупроводниковой и электронной техники.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Скачать
Х. Херман. Полупроводниковые свкрхрешетки. 1989 год. 238 стр. PDF. 33.3 Мб.
Книга польского ученого М. Хермана представляет собой введение в новую область физики полупроводников – физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике. Рассматривается электропроводность сверхрешеток, обсуждаются перспективы их применения, а так же технологии изготавления и результаты экспериментальных исследований. Книга содержит достаточно полное изложение проблемы и может служить справочным и учебным пособием.
Для специалистов по физике полупроводников, инженеров и технологов, а также для студентов и аспирантов.
Книга польского ученого М. Хермана представляет собой введение в новую область физики полупроводников – физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике. Рассматривается электропроводность сверхрешеток, обсуждаются перспективы их применения, а так же технологии изготавления и результаты экспериментальных исследований. Книга содержит достаточно полное изложение проблемы и может служить справочным и учебным пособием.
Для специалистов по физике полупроводников, инженеров и технологов, а также для студентов и аспирантов.